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参数资料
| 型号： | V55C2256164VBT10I |
| 厂商： | PROMOS TECHNOLOGIES INC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PDSO54 |
| 封装： | 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54 |
| 文件页数： | 17/46页 |
| 文件大小： | 575K |
| 代理商： | V55C2256164VBT10I |
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24
V55C2256164VB Rev. 1.2 May 2007
ProMOS TECHNOLOGIES
V55C2256164VB
8.1 Termination of a Burst Read Operation
(CAS latency = 2, 3)
8.2 Termination of a Burst Write Operation
(CAS latency = 2, 3)
COMMAND
READ A
NOP
Burst
NOP
t
CK2, I/O’s
CAS latency = 2
t
CK3, I/O’s
CAS latency = 3
Stop
CLK
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
DOUT A0
DOUT A1
DOUT A2
DOUT A3
DOUT A0
DOUT A1
DOUT A2
DOUT A3
COMMAND
NOP
WRITE A
NOP
Burst
NOP
DIN A0
DIN A1
DIN A2
Stop
CLK
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
Input data for the Write is masked.
I/O’s
CAS latency = 2,3
don’t care
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| V55C3256164VGLK-10IPC | SYNCHRONOUS DRAM, PBGA54 |
| V55C3256164VGLK-7HPC | SYNCHRONOUS DRAM, PBGA54 |
| V580MC04 | VCO, 850 MHz - 890 MHz |
| V707S001 | VCO, 500 MHz - 1000 MHz |
| V706S001 | VCO, 600 MHz - 1200 MHz |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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