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参数资料
| 型号： | V58C2128164SBLS7 |
| 厂商： | PROMOS TECHNOLOGIES INC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 16 DDR DRAM, 0.75 ns, PBGA60 |
| 封装： | MO-233, FBGA-60 |
| 文件页数： | 13/62页 |
| 文件大小： | 977K |
| 代理商： | V58C2128164SBLS7 |
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20
V58C2128(804/404/164)SB Rev. 1.1 March 2004
ProMOS TECHNOLOGIES
V58C2128(804/404/164)SB
Burst Write Timing
Once the burst of write data is concluded and given that no subsequent burst write operations are initiated,
the data strobe signal (DQS) transitions from a logic low level back to Hi-Z. This is referred to as the data
strobe “write postamble”. This transition happens nominally one-half clock period after the last data of the
burst cycle is latched into the device.
Once the burst of write data is concluded and given that no subsequent burst write operations are initiated,
(CAS Latency = Any; Burst Length = 4)
T0
T1
T2
T3
T4
WRITE
NOP
D0
D1
D2
D3
CK, CK
Command
DQS(nom)
DQ(nom)
tWPRES
tDQSS
tWPST
tDH
D0
D1
D2
D3
DQS(min)
DQ(min)
tDQSS(min)
D0
D1
D2
D3
DQS(max)
DQ(max)
tWPRES(min)
tDQSS(max)
tDS
tDH
tWPRES
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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