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参数资料
| 型号： | V827432K24SAEX-B1 |
| 厂商： | PROMOS TECHNOLOGIES INC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 32M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.75 ns, DMA184 |
| 封装： | LEAD FREE, DIMM-184 |
| 文件页数： | 2/16页 |
| 文件大小： | 253K |
| 代理商： | V827432K24SAEX-B1 |
10
ProMOS TECHNOLOGIES
V827432K24SA
V827432K24SA Rev. 1.0 December 2003
Input/Output Capacitance
(VDD = 2.5V, VDD = 2.6V for DDR400, VDDQ = 2.5V, VDDQ = 2.6V for DDR400, TA = 25°C, f = 1MHz)
AC Characteristics (AC operating conditions unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
Min
Max
Unit
Input capacitance (A0 ~ A11, BA0 ~ BA1, RAS, CAS, WE)
CIN1
50
62
pF
Input capacitance (CKE0)
CIN2
42
55
pF
Input capacitance (CS0)
CIN3
42
55
pF
Input capacitance (CLK1, CLK2)
CIN4
20
28
pF
Data & DQS input/output capacitance (DQ0~DQ63)
COUT
610
pF
Input capacitance (DM0~DM8)
CIN5
610
pF
Parameter
Sym-
bol
(DDR400A)
D0
(DDR400B)
D3
(DDR400C)
D4
(DDR333)
C0
(DDR266A)
B1
(DDR266B)
B0
(DDR200)
A1
Unit Note
Min
Max Min
Max
Min
Max Min Max
Row Cycle Time
tRC
60
-
60
-
60
-
60
-
65
-
65
-
70
-
ns
Auto Refresh Row Cycle
Time
tRFC
70
-
70
-
70
-
72
-
75
-
75
-
80
-
ns
Row Active Time
tRAS
40
120K
40
120K
40
120K
42
120K
45
120K
45
120K
50
120K
ns
Row Address to Column Ad-
dress Delay
tRCD
15
-
15
-
20
-
18
-
15
-
20
-
20
-
ns
Row Active to Row Active
Delay
tRRD
10
-
10
-
10
-
12
-
15
-
15
-
15
-
ns
Column Address to Column
Address Delay
tCCD
1
-
1
-
1
-
1
-
1
-
1
-
1
-
CLK
Row Precharge Time
tRP
15
-
15
-
20
-
18
-
15
-
20
-
20
-
ns
Write Recovery Time
tWR
15
-
15
-
15
-
12
-
15
-
15
-
15
-
ns
Output Load Circuit (SSTL_2)
Output
Z0=50
CLOAD=30pF
VREF
=0.5*VDDQ
RT=50
Vtt=0.5*VDDQ
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PDF描述 |
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