收藏本站
参数资料
型号： V827432K24SAEX-B1
厂商： PROMOS TECHNOLOGIES INC
元件分类： DRAM
英文描述： 32M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.75 ns, DMA184
封装： LEAD FREE, DIMM-184
文件页数： 3/16页
文件大小： 253K
代理商： V827432K24SAEX-B1
ProMOS TECHNOLOGIES
V827432K24SA
11
V827432K24SA Rev.1.0 December 2003
AC Characteristics (cont.)
Last Data-In to Read Com-
mand
tDRL
1
-
1
-
1
-
1
-
1
-
1
-
1
-
CLK
Auto Precharge Write Recov-
ery + Precharge Time
tDAL
35
-
35
-
35
-
35
-
35
-
35
-
35
-
ns
System Clock
Cycle Time
CAS Laten-
cy = 3
tCK
5
12
5
12
5
12
-
12
-
12
-
12
-
12
ns
CAS Laten-
cy = 2.5
5
12
6
12
6
12
6
12
7
12
7.5
12
8
12
ns
CAS Laten-
cy = 2
7.5
12
7.5
12
7.5
12
7.5
12
7.5
12
10
12
10
12
ns
Clock High Level Width
tCH
0.45
0.55
0.45
0.55
0.45
0.55
0.45
0.55
0.45
0.55
0.45
0.55
0.45 0.55 CLK
Clock Low Level Width
tCL
0.45
0.55
0.45
0.55
0.45
0.55
0.45
0.55
0.45
0.55
0.45
0.55
0.45 0.55 CLK
Data-Out edge to Clock edge
Skew
tAC
-0.65
0.65 -0.65
0.65
-0.65 0.65
-0.75
0.75 -0.75
0.75
-0.75
0.75
-0.8
0.8
ns
DQS-Out edge to Clock edge
Skew
tDQSCK -0.60 0.60 -0.60 0.60 -0.60 0.60 -0.75 0.75 -0.75 0.75
-0.75
0.75
-0.8
0.8
ns
DQS-Out edge to Data-Out
edge Skew
tDQSQ
-
0.40
-
0.40
-
0.40
-
0.45
-
0.5
-
0.5
-
0.6
ns
Data-Out hold time from
DQS
tQH
tHPmin
-
0.75ns
-
tHPmin
-
0.75ns
-
tHPmin
-
0.75ns
-
tHPmin
-
0.75ns
-
tHPmin
-
0.75ns
-
tHPmin
-
0.75ns
-
tHPmin
-
0.75n
s
-
ns
1
Clock Half Period
tHP
tCH/L
min
-
tCH/L
min
-
tCH/L
min
-
tCH/L
min
-
tCH/L
min
-
tCH/L
min
-
tCH/L
min
-
ns
1
Input Setup Time (fast slew
rate)
tIS
0.6
-
0.6
-
0.6
-
0.75
-
0.9
-
0.9
-
1.1
-
ns 2,3,5,
6
Input Hold Time (fast slew
rate)
tIH
0.6
-
0.6
-
0.6
-
0.75
-
0.9
-
0.9
-
1.1
-
ns 2,3,5,
6
Input Setup Time (slow slew
rate)
tIS
0.75
-
0.75
-
0.75
-
0.8
-
1.0
-
1.0
-
1.1
-
ns 2,4,5,
6
Input Hold Time (slow slew
rate)
tIH
0.75
-
0.75
-
0.75
-
0.8
-
1.0
-
1.0
-
1.1
-
ns 2,4,5,
6
Input Pulse Width
tIPW
0.4
0.6
0.4
0.6
0.4
0.6
0.4
0.6
2.2
-
2.2
-
ns
6
Write DQS High Level Width tDQSH 0.35
0.35
CLK
Write DQS Low Level Width tDQSL
0.35
CLK
Parameter
Sym-
bol
(DDR400A)
D0
(DDR400B)
D3
(DDR400C)
D4
(DDR333)
C0
(DDR266A)
B1
(DDR266B)
B0
(DDR200)
A1
Unit Note
Min
Max Min
Max
Min
Max Min Max
相关PDF资料
PDF描述
V827432K24S 2.5 VOLT 32M x 72 HIGH PERFORMANCE UNBUFFERED ECC DDR SDRAM MODULE
V85ECADBFREQ VCXO, CLOCK, 1.5 MHz - 200 MHz, HCMOS OUTPUT
V85ECBDAFREQ VCXO, CLOCK, 1.5 MHz - 200 MHz, HCMOS OUTPUT
V85ECBDBFREQ VCXO, CLOCK, 1.5 MHz - 200 MHz, HCMOS OUTPUT
V85EDBCAFREQ VCXO, CLOCK, 1.5 MHz - 200 MHz, HCMOS OUTPUT
相关代理商/技术参数
参数描述
V827464K24S 制造商:MOSEL 制造商全称:MOSEL 功能描述:2.5 VOLT 64M x 72 HIGH PERFORMANCE UNBUFFERED ECC DDR SDRAM MODULE
V827464N24S 制造商:MOSEL 制造商全称:MOSEL 功能描述:2.5 VOLT 64M x 72 HIGH PERFORMANCE REGISTERED ECC DDR SDRAM MODULE
V8290 制造商:Visual Effects 功能描述:Mini Strobe Light 制造商:VISUAL EFFECTS 功能描述:MINI STROBE LIGHT
V82MA3A 功能描述:压敏电阻 82V 40A 120pF RoHS:否 制造商:EPCOS 产品:MLV 电压额定值 DC:22 V 电压额定值 AC:17 V 钳位电压:50 V 直径: 峰值浪涌电流:30 A 浪涌能量额定值:75 mJ 电容:74.2 pF 工作温度范围:- 55 C to + 125 C 安装:SMD/SMT 封装:Reel
V82MA3B 功能描述:压敏电阻 82V 40A 120pF RoHS:否 制造商:EPCOS 产品:MLV 电压额定值 DC:22 V 电压额定值 AC:17 V 钳位电压:50 V 直径: 峰值浪涌电流:30 A 浪涌能量额定值:75 mJ 电容:74.2 pF 工作温度范围:- 55 C to + 125 C 安装:SMD/SMT 封装:Reel
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*