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参数资料
| 型号： | VMM90-09F |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET MOD PHASE LEG 900V Y3-LI |
| 标准包装： | 2 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 900V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 85A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 76 毫欧 @ 65A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 30mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 960nC @ 10V |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | Y3-Li |
| 供应商设备封装： | Y3-Li |
| 包装： | 散装 |
VMM 90-09F
80
A
V GS = 9/8/7/6 V
200
A
V GS = 9/8/7 V
6V
I D
60
I D
150
40
20
TJ = 25°C
5V
100
50
T J = 25°C
5V
0
0
2
4
6
8
4V
V 10
0
0
4
8
12
16
4V
V 20
120
V DS
Fig. 1 Typical output characteristics
120
V CE
Fig. 2 Typical transfer characteristics
A
100
V GS = 9/8/7/6 V
A
100
I D
80
60
5V
I D
80
60
T J = 125°C
40
TJ = 125°C
40
T J = 25°C
20
0
4V
20
0
0
5
10
15
20 V
25
2
3
4
5
6
V
7
V DS
Fig. 3 Typical output characteristics
V GS
Fig. 4 Typical transfer characteristics
2.4
V GS = 10 V
2.5
V GS = 10 V
2.0
R DS(on)
2.0
R DS(on)
norm.
T J = 125°C
1.5
norm.
I D = 90 A
I D = 45 A
1.6
1.0
1.2
T J = 25°C
0.5
0.8
0
40
80
I D
120
160 A
200
25
50
75
T J
100
125 °C 150
Fig. 5 Typical normalized R DSon versus I D
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2005 IXYS All rights reserved
Fig. 6 Typical normalized R DSon versus T J
3-4
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