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参数资料
| 型号： | VMM90-09F |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET MOD PHASE LEG 900V Y3-LI |
| 标准包装： | 2 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 900V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 85A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 76 毫欧 @ 65A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 30mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 960nC @ 10V |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | Y3-Li |
| 供应商设备封装： | Y3-Li |
| 包装： | 散装 |
VMM 90-09F
16
100000
V GS
V
12
V DS = 500 V
I D = 45 A
I G = 40 mA
C
pF
10000
f = 1MHz
C iss
8
C oss
4
0
1000
100
C rss
0
200
400
600
800
1000 1200
Q g
nC
0
5
10
15
20
25
V DS
30
35
V
I D
Fig. 7 Typical turn-on gate charge characteristics
200
A
160
120
I D
100
A
80
60
Fig. 8 Typical capacitances
80
40
T J = 125°C
T J = 25°C
40
20
0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
0
0
20
40
60
80
100 120 140
°C
V SD
Fig. 9 Typical forward characteristics of diode
0.100
K/W
0.010
R thJC
0.001
T C
Fig. 10 Continuous drain current
0.001
0.01
0.1
1
s
10
t
Fig. 11 Transient thermal resistance
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2005 IXYS All rights reserved
4-4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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