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参数资料
| 型号： | VMO550-01F |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 590A Y3-DCB |
| 标准包装： | 2 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 590A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.1 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 6V @ 110mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2000nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 50000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2200W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | Y3-DCB |
| 供应商设备封装： | Y3-DCB |
| 包装： | 散装 |
VMO 550-01F
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Dimensions in mm (1 mm = 0.0394")
min. typ. max.
5
g fs
C iss
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q g
Q gs
Q gd
R thJC
R thJS
V DS = 10 V; I D = 0.5 ? I D25 pulsed
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
R G = 2 W (external)
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
with 30 m m heat transfer paste
330
50
17.6
8.8
250
500
800
200
2000
385
940
S
nF
nF
nF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
0.057 K/W
0.085 K/W
Source-Drain Diode
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Symbol
Test Conditions
min. typ. max.
I S
I SM
V GS = 0 V
Repetitive; pulse width limited by T JM
590
2360
A
A
V SD
t rr
I F = I S ; V GS = 0 V,
Pulse test, t ￡ 300 m s, duty cycle d ￡ 2 %
I F = I S , -di/dt = 1000 A/ m s, V DS = 0.5 ? V DSS
0.9
300
1.2
V
ns
IXYS MOSFETs IXYS IGBTs rights reserved the following U.S.patents:
are covered by one of
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025
2-2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VMO580-02F | MOSFET N-CH 200V 580A MODULE |
| VMO60-05F | MOSFET N-CH 500V 60A TO-240AA |
| VMO650-01F | MOSFET N-CH 100V 690A MODULE |
| VN101503 | SENSOR HALL EFF MOLDED VANE 3PIN |
| VN10LPSTOB | MOSFET VMOS N-CHAN TO92-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| VMO580-02F | 功能描述:MOSFET HiperFET 200V 580A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| VMO60-05F | 功能描述:MOSFET 60 Amps 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| VMO650-01F | 功能描述:MOSFET 650 Amps 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| VMO80-05P1 | 功能描述:MOSFET N-CH ECO-PAC2 RoHS:是 类别:半导体模块 >> FET 系列:- 标准包装:10 系列:* |
| VMOB70 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:MOBILE COMMUNICATIONS |
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