- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录202515 > VNL5050S5-E (STMICROELECTRONICS) POWER SUPPLY SUPPORT CKT, PDSO8 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | VNL5050S5-E |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 电源管理 |
| 英文描述： | POWER SUPPLY SUPPORT CKT, PDSO8 |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, SOP-8 |
| 文件页数： | 10/32页 |
| 文件大小： | 490K |
| 代理商： | VNL5050S5-E |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页当前第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页
Package and PC board thermal data
VNL5050N3-E / VNL5050S5-E
Doc ID 15917 Rev 4
4
Package and PC board thermal data
4.1
SOT-223 thermal data
Figure 19. SOT-223 PC board(1)
1.
Layout condition of Rth and Zth measurements (PCB FR4 area = 30 mm x 58 mm, PCB thickness = 2 mm,
Cu thickness = 35 m, copper areas: from minimum pad lay-out to 0.8 cm2).
Figure 20. Rthj-amb vs. PCB copper area in open box free air condition
RTHj_amb(°C/W)
RTHjamb (°C/W)
60
70
80
90
100
110
120
130
140
150
0
0.5
1
1.5
2
2.5
PCB Cu heatsink area (cm2)
footprint
RTHj_amb(°C/W)
RTHjamb (°C/W)
60
70
80
90
100
110
120
130
140
150
0
0.5
1
1.5
2
2.5
PCB Cu heatsink area (cm2)
footprint
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VNL5050N3TR-E | POWER SUPPLY SUPPORT CKT, PDSO3 |
| VO27.0000000M0000001 | VCXO, CLOCK, 27 MHz, TTL OUTPUT |
| VP06DDC1R0N999 | 0.3 W, SMPS TRANSFORMER |
| VP06DDC1R0N001 | 0.3 W, SMPS TRANSFORMER |
| VP06DDC1R0M999 | 0.3 W, SMPS TRANSFORMER |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| VNL5050S5TR-E | 功能描述:功率驱动器IC 19A OMNIFET RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| VNL5090N3TR-E | 功能描述:功率驱动器IC OMNIFET III Low Side 13A 41V 90mOhm RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| VNL5090S5TR-E | 功能描述:功率驱动器IC OMNIFET III Driver Low-Side ESD VIPower RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| VNL5160N3-E | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:OMNIFET III fully protected low-side driver |
| VNL5160N3TR-E | 功能描述:功率驱动器IC Double Ch High Side Driver analog currnt RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。