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参数资料
| 型号： | VNL5050S5-E |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 电源管理 |
| 英文描述： | POWER SUPPLY SUPPORT CKT, PDSO8 |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, SOP-8 |
| 文件页数： | 22/32页 |
| 文件大小： | 490K |
| 代理商： | VNL5050S5-E |
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VNL5050N3-E / VNL5050S5-E
Package and packing information
Doc ID 15917 Rev 4
5.5
SO-8 packing information
Figure 30. SO-8 tube shipment (no suffix)
Figure 31. SO-8 tape and reel shipment (suffix “TR”)
All dimensions are in mm.
Base q.ty
100
Bulk q.ty
2000
Tube length (± 0.5)
532
A
3.2
B
6
C (± 0.1)
0.6
C
B
A
Tape dimensions
According to Electronic Industries Association
(EIA) Standard 481 rev. A, Feb. 1986
All dimensions are in mm.
Tape width
W
12
Tape hole spacing
P0 (± 0.1)
4
Component spacing
P
8
Hole diameter
D (+ 0.1/-0)
1.5
Hole diameter
D1 (min)
1.5
Hole position
F (± 0.05)
5.5
Compartment depth
K (max)
4.5
Hole spacing
P1 (± 0.1)
2
Top
cover
tape
End
Start
No components
Components
500mm min
Empty components pockets
saled with cover tape.
User direction of feed
Reel dimensions
All dimensions are in mm.
Base q.ty
2500
Bulk q.ty
2500
A (max)
330
B (min)
1.5
C (± 0.2)
13
F
20.2
G (+ 2 / -0)
12.4
N (min)
60
T (max)
18.4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VNL5050N3TR-E | POWER SUPPLY SUPPORT CKT, PDSO3 |
| VO27.0000000M0000001 | VCXO, CLOCK, 27 MHz, TTL OUTPUT |
| VP06DDC1R0N999 | 0.3 W, SMPS TRANSFORMER |
| VP06DDC1R0N001 | 0.3 W, SMPS TRANSFORMER |
| VP06DDC1R0M999 | 0.3 W, SMPS TRANSFORMER |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| VNL5050S5TR-E | 功能描述:功率驱动器IC 19A OMNIFET RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| VNL5090N3TR-E | 功能描述:功率驱动器IC OMNIFET III Low Side 13A 41V 90mOhm RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| VNL5090S5TR-E | 功能描述:功率驱动器IC OMNIFET III Driver Low-Side ESD VIPower RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| VNL5160N3-E | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:OMNIFET III fully protected low-side driver |
| VNL5160N3TR-E | 功能描述:功率驱动器IC Double Ch High Side Driver analog currnt RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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