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参数资料
| 型号： | VNL5050S5-E |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 电源管理 |
| 英文描述： | POWER SUPPLY SUPPORT CKT, PDSO8 |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, SOP-8 |
| 文件页数： | 3/32页 |
| 文件大小： | 490K |
| 代理商： | VNL5050S5-E |
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VNL5050N3-E / VNL5050S5-E
Electrical characteristics
Doc ID 15917 Rev 4
Table 13.
Switching characteristics(1)
1.
Symbol
Parameter
Test conditions
SOT-223(2)
2.
3.5 V
≤ V
supply = VIN ≤ 5.5 V
SO-8
Unit
Min.
Typ.
Max Min.
Typ.
Max.
td(ON)
Turn-on delay time
RL = 6.5 Ω,
VCC = 13 V
(3)
3.
-6-
-
6
-
s
td(OFF) Turn-off delay time
RL = 6.5 Ω,
VCC = 13 V
-20
-
20
-
s
tr
Rise time
RL = 6.5 Ω,
VCC = 13 V
-
10
-
10
-
s
tf
Fall time
RL = 6.5 Ω,
VCC = 13 V
-
10
-
10
-
s
WON
Switching energy
losses at turn-on
RL = 6.5 Ω,
VCC = 13 V
-0.04-
-
0.04
-
mJ
WOFF
Switching energy
losses at turn-off
RL = 6.5 Ω,
VCC = 13 V
-0.06-
-
0.06
-
mJ
Table 14.
Protection and diagnostics
Symbol
Parameter
Test conditions(1)
1.
Vsupply = Vinput in VNL5050N3-E version
Min.
Typ.
Max.
Unit
IlimH
DC short-circuit current
VDS = 13 V;
Vsupply = VIN =5V
19
27
38
A
IlimL
Short-circuit current
during thermal cycling
VDS = 13 V; TR < Tj < TTSD;
Vsupply = VIN =5V
11
A
tdlimL
Step response current
limit
VDS = 13 V; Vinput = 5 V
44
s
TTSD
Shutdown temperature
-
150
175
200
°C
TR
(2)
2.
Valid for VNL5050S5-E option
Reset temperature
-
TRS + 1 TRS + 5
°C
TRS
(3)
Thermal reset of
STATUS
-
135
°C
THYST
Thermal hysteresis
(TTSD - TR)
-7
°C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VNL5050N3TR-E | POWER SUPPLY SUPPORT CKT, PDSO3 |
| VO27.0000000M0000001 | VCXO, CLOCK, 27 MHz, TTL OUTPUT |
| VP06DDC1R0N999 | 0.3 W, SMPS TRANSFORMER |
| VP06DDC1R0N001 | 0.3 W, SMPS TRANSFORMER |
| VP06DDC1R0M999 | 0.3 W, SMPS TRANSFORMER |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| VNL5050S5TR-E | 功能描述:功率驱动器IC 19A OMNIFET RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| VNL5090N3TR-E | 功能描述:功率驱动器IC OMNIFET III Low Side 13A 41V 90mOhm RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| VNL5090S5TR-E | 功能描述:功率驱动器IC OMNIFET III Driver Low-Side ESD VIPower RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| VNL5160N3-E | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:OMNIFET III fully protected low-side driver |
| VNL5160N3TR-E | 功能描述:功率驱动器IC Double Ch High Side Driver analog currnt RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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