| 型号: | W19B160BTBBM |
| 厂商: | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类: | PROM |
| 英文描述: | 1M X 16 FLASH 2.7V PROM, 11 ns, PBGA48 |
| 封装: | 6 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-48 |
| 文件页数: | 1/48页 |
| 文件大小: | 534K |
| 代理商: | W19B160BTBBM |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W7MG21M32SVB70BNC | 2M X 32 FLASH 3.3V PROM MODULE, 70 ns, SMA80 |
| W3EG7264S202AD4 | DDR DRAM MODULE, DMA200 |
| W3E232M16S-200STIG | 64M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66 |
| W3E232M16S-400STI | 64M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66 |
| W3EG6418S263D3 | 16M X 64 DDR DRAM MODULE, 0.75 ns, DMA184 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| W19B160BTBH7H | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:16Mbit, 2.7~3.6 volt CMOS flash memory |
| W19B160BTBM7H | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:16Mbit, 2.7~3.6 volt CMOS flash memory |
| W19B160BTT7H | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:2.7~3.6-volt write (program and erase) operations, Fast write operation |
| W19B160TB7H7H | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:16Mbit, 2.7~3.6 volt CMOS flash memory |
| W19B160TB7M7H | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:16Mbit, 2.7~3.6 volt CMOS flash memory |