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参数资料
| 型号： | W19B160BTBBM |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 1M X 16 FLASH 2.7V PROM, 11 ns, PBGA48 |
| 封装： | 6 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-48 |
| 文件页数： | 35/48页 |
| 文件大小： | 534K |
| 代理商： | W19B160BTBBM |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页当前第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页
W19B160BT/B DATA SHEET
- 40 -
10.5 Programming Waveform
555h
PA
Address
TWC
TAS
TCH
TAH
TWP
TPW
Program Command Sequence (last two cycles)
Read Status Data (last two cycles)
Status
DOUT
PD
A0h
TCS
TDH
TWPH
TBUSY
TRB
TVCS
Data
VDD
RY/#BY
#WE
#OE
#CE
DS
T
Notes :
1.
PA=program address ,PD=program data,DOUT is the true data at the program address
2.
Illustration shows device in word mode
10.6 Chip/Sector Erase Waveform
2AAh
SA
VA
TWC
TAS
TCH
TAH
TWP
TCS
TDS
TDH
TWPH
TSE
Erase Command Sequence (last two cycles)
Read Status Data
30h
55h
TBUSY
TRB
TVCS
Progress
In
Complete
10 for Chip Erase
555h for chip erase
Address
Data
VDD
RY/#BY
#WE
#OE
#CE
Notes :
1. SA= sector address (for Sector Erase), VA= Valid Address for reading status data (see “Write operation Status”).
2. These waveforms are for the word mode
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W7MG21M32SVB70BNC | 2M X 32 FLASH 3.3V PROM MODULE, 70 ns, SMA80 |
| W3EG7264S202AD4 | DDR DRAM MODULE, DMA200 |
| W3E232M16S-200STIG | 64M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66 |
| W3E232M16S-400STI | 64M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66 |
| W3EG6418S263D3 | 16M X 64 DDR DRAM MODULE, 0.75 ns, DMA184 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| W19B160BTBH7H | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:16Mbit, 2.7~3.6 volt CMOS flash memory |
| W19B160BTBM7H | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:16Mbit, 2.7~3.6 volt CMOS flash memory |
| W19B160BTT7H | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:2.7~3.6-volt write (program and erase) operations, Fast write operation |
| W19B160TB7H7H | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:16Mbit, 2.7~3.6 volt CMOS flash memory |
| W19B160TB7M7H | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:16Mbit, 2.7~3.6 volt CMOS flash memory |
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