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参数资料
| 型号： | W19B160BTBBM |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 1M X 16 FLASH 2.7V PROM, 11 ns, PBGA48 |
| 封装： | 6 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-48 |
| 文件页数： | 33/48页 |
| 文件大小： | 534K |
| 代理商： | W19B160BTBBM |
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W19B160BT/B DATA SHEET
Publication Release Date:Jan.04, 2008
- 39 -
Revision A5
10.3 #BYTE Waveform for Read Operation
DQ0-DQ14
DQ15/A-1
Data Output
(DQ0-DQ14)
DQ15
Output
(DQ0-DQ7)
Data Output
Address
Input
DQ0-DQ14
DQ15
Output
Address
Input
DQ15/A-1
Data Output
(DQ0-DQ14)
(DQ0-DQ7)
Data Output
TELFL
TFLQZ
TELFH
TFHQV
#OE
#CE
#BYTE
Switching
from word
to byte
mode
#BYTE
Switching
from byte
to word
mode
#BYTE
10.4 #BYTE Waveform for Write Operation
TSET
THOLD
AS
(T )
(TAH )
Note: Refer to the Erase /Program Operations table for TAS and TAH Specifications.
#CE
#BYTE
#WE
The falling edge of the last #WE signal
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| W7MG21M32SVB70BNC | 2M X 32 FLASH 3.3V PROM MODULE, 70 ns, SMA80 |
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| W3E232M16S-200STIG | 64M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66 |
| W3E232M16S-400STI | 64M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66 |
| W3EG6418S263D3 | 16M X 64 DDR DRAM MODULE, 0.75 ns, DMA184 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| W19B160BTBM7H | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:16Mbit, 2.7~3.6 volt CMOS flash memory |
| W19B160BTT7H | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:2.7~3.6-volt write (program and erase) operations, Fast write operation |
| W19B160TB7H7H | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:16Mbit, 2.7~3.6 volt CMOS flash memory |
| W19B160TB7M7H | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:16Mbit, 2.7~3.6 volt CMOS flash memory |
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