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参数资料
| 型号： | W19B160BTBBM |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 1M X 16 FLASH 2.7V PROM, 11 ns, PBGA48 |
| 封装： | 6 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-48 |
| 文件页数： | 38/48页 |
| 文件大小： | 534K |
| 代理商： | W19B160BTBBM |
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W19B160BT/B DATA SHEET
Publication Release Date:Jan.04, 2008
- 43 -
Revision A5
10.11 Alternate #CE Controlled Write (Erase/Program) Operation Timing
.
DOUT
#DQ7
#RESET
DATA
Address
555 for program
2AA for erase
PA for program
SA for sector erase
555 for chip erase
#Data Polling
PA
TWC
TAS
TAH
TWH
TGHEL
TCP
TWS
TDS
TDH
A0 for program
55 for erase
PD for program
30 for sector erase
10 for chip erase
TBUSY
TRH
#WE
#OE
#CE
RY/#BY
TPW, PB, OR SE
TT
TCPH
Notes :
1. Firgure indicates last two bus cycles of a program or erase operation.
2. PA= program address, SA= sector address, PD= program data.
3. #DQ7 is the complement of the data written to the device. DOUT is the data written to the device.
4. Waveforms are for the word mode.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W7MG21M32SVB70BNC | 2M X 32 FLASH 3.3V PROM MODULE, 70 ns, SMA80 |
| W3EG7264S202AD4 | DDR DRAM MODULE, DMA200 |
| W3E232M16S-200STIG | 64M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66 |
| W3E232M16S-400STI | 64M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66 |
| W3EG6418S263D3 | 16M X 64 DDR DRAM MODULE, 0.75 ns, DMA184 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| W19B160BTBH7H | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:16Mbit, 2.7~3.6 volt CMOS flash memory |
| W19B160BTBM7H | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:16Mbit, 2.7~3.6 volt CMOS flash memory |
| W19B160BTT7H | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:2.7~3.6-volt write (program and erase) operations, Fast write operation |
| W19B160TB7H7H | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:16Mbit, 2.7~3.6 volt CMOS flash memory |
| W19B160TB7M7H | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:16Mbit, 2.7~3.6 volt CMOS flash memory |
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