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参数资料
| 型号： | W25Q16BVDAIG |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 2M X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDIP8 |
| 封装： | 0.300 INCH, GREEN, PLASTIC, DIP-8 |
| 文件页数： | 54/68页 |
| 文件大小： | 2055K |
| 代理商： | W25Q16BVDAIG |
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W25Q16BV
- 58 -
12.7 AC Electrical Characteristics (cont’d)
SPEC
DESCRIPTION
SYMBOL
ALT
MIN
TYP
MAX
UNIT
/HOLD Active Setup Time relative to CLK
tHLCH
5
ns
/HOLD Active Hold Time relative to CLK
tCHHH
5
ns
/HOLD Not Active Setup Time relative to CLK
tHHCH
5
ns
/HOLD Not Active Hold Time relative to CLK
tCHHL
5
ns
/HOLD to Output Low-Z
tHHQX(2)
tLZ
7
ns
/HOLD to Output High-Z
tHLQZ(2)
tHZ
7
ns
Write Protect Setup Time Before /CS Low
tWHSL(3)
20
ns
Write Protect Hold Time After /CS High
tSHWL(3)
100
ns
/CS High to Power-down Mode
tDP(2)
3
s
/CS High to Standby Mode without Electronic
Signature Read
tRES1(2)
3
s
/CS High to Standby Mode with Electronic Signature
Read
tRES2(2)
1.8
s
/CS High to next Instruction after Suspend
tSUS(2)
20
s
Write Status Register Time
tW
10
15
ms
Byte Program Time (First Byte) (4)
tBP1
20
50
s
Additional Byte Program Time (After First Byte) (4)
tBP2
2.5
12
s
Page Program Time
tPP
0.7
3
ms
Sector Erase Time (4KB)
tSE
30
200/400(5)
ms
Block Erase Time (32KB)
tBE1
120
800
ms
Block Erase Time (64KB)
tBE2
150
1000
ms
Chip Erase Time
tCE
3
10
s
Notes:
1.
Clock high + Clock low must be less than or equal to 1/fC.
2.
Value guaranteed by design and/or characterization, not 100% tested in production.
3.
Only applicable as a constraint for a Write Status Register instruction when SRP0 is set to 1.
4.
For multiple bytes after first byte within a page,
tBPN = tBP1 + tBP2 * N (typical) and tBPN = tBP1 + tBP2 * N (max), where N =
number of bytes programmed.
5.
Max Value tSE with <50K cycles is 200ms and >50K & <100K cycles is 400ms.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W25Q16BVDAIP | 2M X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDIP8 |
| W25Q16BVSNIP | 2M X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 |
| W25Q40BLSNIP | 4M X 1 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 |
| W25Q80BVSFIG | 1M X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO16 |
| W25X32AVZPIG | 4M X 8 FLASH 2.7V PROM, PDSO8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| W25Q16BVDAIP | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:16M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
| W25Q16BVSFIG | 功能描述:IC SPI FLASH 16MBIT 16SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:SpiFlash® 标准包装:2,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:256K (32K x 8) 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:28-TSSOP（0.465"，11.8mm 宽） 供应商设备封装:28-TSOP 包装:带卷 (TR) 其它名称:71V256SA15PZGI8 |
| W25Q16BVSFIP | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:16M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
| W25Q16BVSNIG | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:Flash Serial-SPI 3.3V 16Mbit 2M x 8bit 6ns 8-Pin SOIC |
| W25Q16BVSNIP | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:16M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
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