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参数资料
| 型号： | W25Q32BVSSIG |
| 厂商： | Winbond Electronics |
| 文件页数： | 28/78页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SPI FLASH 32MBIT 8SOIC |
| 标准包装： | 90 |
| 系列： | SpiFlash® |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | FLASH |
| 存储容量： | 32M（4M x 8） |
| 速度： | 104MHz |
| 接口： | SPI 串行 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 管件 |
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W25Q32BV
7.2.11 Fast Read (0Bh)
The Fast Read instruction is similar to the Read Data instruction except that it can operate at the highest
possible frequency of F R (see AC Electrical Characteristics). This is accomplished by adding eight
“dummy” clocks after the 24 -bit address as shown in Figure 10. The dummy clocks allow the devices
internal circuits additional time for setting up the initial address. During the dummy clocks the data value
on the DO pin is a “don’t care”.
/CS
Mode 3
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
28
29
30
31
CLK
Mode 0
Instruction (0Bh)
24-Bit Address
DI
(IO 0 )
23
*
22
21
3
2
1
0
DO
(IO 1 )
/CS
* = MSB
High Impedance
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
CLK
Dummy Clocks
DI
(IO 0 )
0
DO
(IO 1 )
High Impedance
7
*
6
5
Data Out 1
4 3
2
1
0
7
*
6
5
Data Out 2
4 3
2
1
0
7
Figure 10. Fast Read Instruction Sequence Diagram
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ISL9011IRJNZ | IC REG LDO 2.8V/3.3V 10-DFN |
| T86D106M035EAAL | CAP TANT 10UF 35V 20% 2917 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| W25Q32BVSSIG TR | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:SPIFLASH, 32M-BIT, 4KB UNIFORM |
| W25Q32BVSSIP | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:3V 32M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
| W25Q32BVTCAG | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:3V 32M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
| W25Q32BVTCAP | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:3V 32M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
| W25Q32BVTCIG | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:3V 32M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
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