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参数资料
| 型号： | W25Q32BVZEAG |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 32M X 1 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 |
| 封装： | 8 X 6 MM, GREEN, WSON-8 |
| 文件页数： | 47/79页 |
| 文件大小： | 1090K |
| 代理商： | W25Q32BVZEAG |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页当前第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页
W25Q32BV
Publication Release Date: April 01, 2011
- 51 -
Revision F
tRES2
/CS
CLK
DI
(IO
0)
DO
(IO
1)
Mode 0
Mode 3
0
1
2
3
4
5
6
7
Mode 0
Mode 3
8
9
29
30
31
Instruction (ABh)
High Impedance
3 Dummy Bytes
23
22
2
1
0
32
33
34
35
36
37
38
*
7
6
5
4
3
2
1
0
*
Device ID
Power-down current
Stand-by current
= MSB
*
Figure 28b. Release Power-down / Device ID Instruction Sequence Diagram
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W3EG6466S335AD4M | 64M X 64 DDR DRAM MODULE, 0.7 ns, DMA200 |
| W3EG7264S335AD4SG | 64M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.7 ns, DMA200 |
| WF1M32B-120G2UI3A | 1M X 32 FLASH 3.3V PROM MODULE, 120 ns, CQFP68 |
| WF1M32B-120H1I3A | 1M X 32 FLASH 3.3V PROM MODULE, 120 ns, CPGA66 |
| WE128K32N-150G2TC | 128K X 32 EEPROM 5V MODULE, 125 ns, CQFP68 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| W25Q32BVZEAP | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:3V 32M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
| W25Q32BVZEIG | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:32MB SPI FLASH |
| W25Q32BVZEIP | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:3V 32M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
| W25Q32BVZPAG | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:3V 32M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
| W25Q32BVZPAP | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:3V 32M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
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