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参数资料
| 型号： | W29GL128CL9T |
| 厂商： | Winbond Electronics |
| 文件页数： | 21/67页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FLASH 128MBIT 90NS 56TSOP |
| 标准包装： | 96 |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | FLASH |
| 存储容量： | 128M（16M x 8，8M x 16） |
| 速度： | 90ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 56-TSOP |
| 包装： | 管件 |
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W29GL128C
7.3
Enhanced Sector Protect/Un-protect
This device is set from the factory in the Individual Protection mode of the Enhanced Sector Protect
scheme. The user can disable or enable the programming or erasing operation to any individual sector
or whole chip. The figure below helps describe an overview of these methods.
The device defaults to the Individual mode and all sectors are unprotected when shipped from the
factory.
The following flow chart shows the detailed algorithm of Enhanced Sector Protect:
Start
Individual Protection
Mode
(Default)
IPB=0
Set IPB
Lock Bit
IPB=1
IPB Lock bit Unlocked
IPB is Changeable
IPB lock Bit locked
All IPB not changeable
Dynamic Write Protect bit
(DPB)
DPB=0 Sector Protect
DPB=1 Sector Unprotect
DPB 0
DPB 1
DPB 2
.
.
.
.
DPB + n
Sector Array
SA 0
SA 1
SA 2
.
.
.
.
SA + n
Individual Protect bit
(IPB)
IPB=0 Sector Protect
IPB=1 Sector Unprotect
IPB 0
IPB 1
IPB 2
.
.
.
.
IPB + n
Figure 7-1
Enhanced Sector Protect/Un-protect IPB Program Algorithm
Publication Release Date: August 2, 2013
15
Revision H
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| W9425G6JH-5I | IC DDR SDRAM 256MBIT 66TSOPII |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| W29GL128CL9T TR | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC FLASH 128MBIT 90NS 56TSOP |
| W29NK50ZD | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 500 V - 0.11? - 29A TO-247 Fast Diode SuperMESH? MOSFET |
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