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参数资料
| 型号： | W39L020P-90Z |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 256K X 8 FLASH 3.3V PROM, 90 ns, PQCC32 |
| 封装： | LEAD FREE, PLASTIC, LCC-32 |
| 文件页数： | 22/29页 |
| 文件大小： | 294K |
| 代理商： | W39L020P-90Z |
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W39L020
Publication Release Date: June 6, 2005
- 29 -
Revision A7
Headquarters
No. 4, Creation Rd. III,
Science-Based Industrial Park,
Hsinchu, Taiwan
TEL: 886-3-5770066
FAX: 886-3-5665577
http://www.winbond.com.tw/
Taipei Office
TEL: 886-2-8177-7168
FAX: 886-2-8751-3579
Winbond Electronics Corporation America
2727 North First Street, San Jose,
CA 95134, U.S.A.
TEL: 1-408-9436666
FAX: 1-408-5441798
Winbond Electronics (H.K.) Ltd.
No. 378 Kwun Tong Rd.,
Kowloon, Hong Kong
FAX: 852-27552064
Unit 9-15, 22F, Millennium City,
TEL: 852-27513100
Please note that all data and specifications are subject to change without notice.
All the trade marks of products and companies mentioned in this data sheet belong to their respective owners.
Winbond Electronics (Shanghai) Ltd.
200336 China
FAX: 86-21-62365998
27F, 2299 Yan An W. Rd. Shanghai,
TEL: 86-21-62365999
Winbond Electronics Corporation Japan
Shinyokohama Kohoku-ku,
Yokohama, 222-0033
FAX: 81-45-4781800
7F Daini-ueno BLDG, 3-7-18
TEL: 81-45-4781881
9F, No.480, Rueiguang Rd.,
Neihu District, Taipei, 114,
Taiwan, R.O.C.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| W3E32M64S-200BM | 32M X 64 DDR DRAM, 0.8 ns, PBGA219 |
| W3E32M64S-250BM | 32M X 64 DDR DRAM, 0.8 ns, PBGA219 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| W39L020Q-90 | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:128K X 8 CMOS FLASH MEMORY |
| W39L020Q-90B | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:128K X 8 CMOS FLASH MEMORY |
| W39L020T-70 | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:128K X 8 CMOS FLASH MEMORY |
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