参数资料
型号: W3EG64129S265D3
厂商: MICROSEMI CORP-PMG MICROELECTRONICS
元件分类: DRAM
英文描述: 128M X 64 DDR DRAM MODULE, DMA184
封装: DIMM-184
文件页数: 3/8页
文件大小: 122K
代理商: W3EG64129S265D3
3
White Electronic Designs Corporation (602) 437-1520 www.whiteedc.com
White Electronic Designs
W3EG64129S-D3
June 2004
Rev. 0
PRELIMINARY
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQS0
DQ12
DQ13
DQ14
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQS8
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
DQS10
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
DQS11
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
DQS12
DQ44
DQ45
DQ46
DQ47
DQ40
DQ41
DQ42
DQ43
DQS13
DQ52
DQ53
DQ54
DQ55
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
DQS15
CS 0#
DQS4
DQS1
DQS5
DQS2
DQS3
DQS14
DQS6
DQS7
DQ15
Notes:
1. DQ-to-I/O wiring is shown as recommended
but may be changed.
2. DQ/DQS/DM/CKE/S relationships must be
maintained as shown.
3. DQ, DQS resistors: 22 Ohms.
DQ0-D15
A0-A12
D0-D15
RAS#
D0-D7
CAS#
DQ8-D15
CKE0
D0-D15
CKE1
D0-D15
WE#
D0-D15
CS1#
DQS9
A0
Serial PD
A1
A2
SA0 SA1
SA2
SCL
SDA
WP
VSS
D0 -D17
D0 D17
VCC /V CCQ
D0 - D17
D0 --D17
VREF
VCCSPD
SPD
BA0 - BA1
CLOCK
INPUT
5 SDRAMS
CK0/CK0#
CK1/CK1#
CK2/CK2#
4 SDRAMS
6 SDRAMS
DQS0
I/O3
I/O2
I/O1
I/O0
D0
CS0#
DQS8
I/O3
I/O2
I/O1
I/O0
D0
CS1#
DQS9
I/O3
I/O2
I/O1
I/O0
D0
CS1#
DQS10
I/O3
I/O2
I/O1
I/O0
D0
CS1#
DQS11
I/O3
I/O2
I/O1
I/O0
D0
CS1#
DQS12
I/O3
I/O2
I/O1
I/O0
D0
CS1#
DQS13
I/O3
I/O2
I/O1
I/O0
D0
CS1#
DQS14
I/O3
I/O2
I/O1
I/O0
D0
CS1#
DQS15
I/O3
I/O2
I/O1
I/O0
D0
CS1#
DQS1
I/O3
I/O2
I/O1
I/O0
D1
CS0#
DQS2
I/O3
I/O2
I/O1
I/O0
D2
CS0#
DQS3
I/O3
I/O2
I/O1
I/O0
D3
CS0#
DQS4
I/O3
I/O2
I/O1
I/O0
D4
CS0#
DQS5
I/O3
I/O2
I/O1
I/O0
D5
CS0#
DQS6
I/O3
I/O2
I/O1
I/O0
D6
CS0#
DQS7
I/O3
I/O2
I/O1
I/O0
D7
CS0#
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