- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录225535 > W9412G6CH-5 (WINBOND ELECTRONICS CORP) 8M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | W9412G6CH-5 |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66 |
| 封装： | 0.400 INCH, 0.65 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66 |
| 文件页数： | 10/55页 |
| 文件大小： | 2011K |
| 代理商： | W9412G6CH-5 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页当前第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页
W9412G6CH
Publication Release Date:Nov. 19, 2007
- 18 -
Revision A07
8. OPERATION MODE
The following table shows the operation commands.
8.1 Simplified Truth Table
SYM.
COMMAND
DEVICE
STATE
CKEn-1 CKEn
DM
(4)
BS0,
BS1
A10
A0-A9
,A11
CS
RAS
CAS
WE
ACT
Bank Active
Idle
(3)
H
X
V
L
H
PRE
Bank Precharge
Any
(3)
H
X
V
L
X
L
H
L
PREA
Precharge All
Any
H
X
H
X
L
H
L
WRIT
Write
Active
(3)
H
X
V
L
V
L
H
L
WRITA
Write with Auto-
precharge
Active
(3)
H
X
V
H
V
L
H
L
READ
Read
Active
(3)
H
X
V
L
V
L
H
L
H
READA
Read with Auto-
precharge
Active
(3)
H
X
V
H
V
L
H
L
H
MRS
Mode Register Set
Idle
H
X
L, L
C
L
EMRS
Extended Mode
Register Set
Idle
H
X
H, L
V
L
NOP
No Operation
Any
H
X
L
H
BST
Burst Read Stop
Active
H
X
L
H
L
DSL
Device Deselect
Any
H
X
H
X
AREF
Auto Refresh
Idle
H
X
L
H
SELF
Self Refresh
Entry
Idle
H
L
X
L
H
X
SELEX
Self Refresh Exit
Idle (Self
Refresh)
L
H
X
L
H
X
H
X
PD
Power Down
Mode Entry
Idle/
Active
(5)
H
L
X
L
H
X
H
X
PDEX
Power Down
Mode Exit
Any
(Power
Down)
L
H
X
L
H
X
WDE
Data Write Enable
Active
H
X
L
X
WDD
Data Write Disable
Active
H
X
H
X
Notes
:
1. V = Valid X = Don’t Care L = Low level H = High level
2. CKE
n signal is input level when commands are issued.
CKE
n-1 signal is input level one clock cycle before the commands are issued.
3. These are state designated by the BS0, BS1 signals.
4. LDM, UDM (W9412G6CH).
5. Power Down Mode can not entry in the burst cycle.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W942504CH-7 | 64M X 4 DDR DRAM, 0.75 ns, PDSO66 |
| W9864G6IH-6 | 4M X 16 DDR DRAM, 5 ns, PDSO54 |
| WA-1RX33-A4 | SNAP ACTING/LIMIT SWITCH |
| WA-A325CBM | Peripheral Interface |
| WA-A325CPC | Peripheral Interface |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| W9412G6IH | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:2M × 4 BANKS × 16 BITS DDR SDRAM |
| W9412G6IH-5 | 功能描述:IC DDR-400 SDRAM 128MB 66TSSOPII RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:2.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） 供应商设备封装:8-MFP 包装:带卷 (TR) |
| W9412G6JH | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:2M ? 4 BANKS ? 16 BITS DDR SDRAM |
| W9412G6JH-4 | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:8*16B DDR1 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC DDR SDRAM 128M 250MHZ 66TSOP |
| W9412G6JH-5 | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:DRAM Chip DDR SDRAM 128M-Bit 8Mx16 2.5V 66-Pin TSOP 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:128M BIT DDR1 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。