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参数资料
| 型号： | W9412G6IH-6I |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66 |
| 封装： | 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66 |
| 文件页数： | 38/53页 |
| 文件大小： | 825K |
| 代理商： | W9412G6IH-6I |
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W9412G6IH
Publication Release Date: Sep. 16, 2009
- 43 -
Revision A06
11.10 Auto-precharge Timing (Write Cycle)
AP
ACT
WRITA
ACT
WRITA
CMD
DQS
DQ
CMD
DQS
DQ
CMD
DQS
DQ
BL=2
BL=4
BL=8
CLK
AP
D0
D1
D0
D1
D2
D3
D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
tDAL
WRITA
The Write with Auto-precharge command cannot be interrupted by any other command.
AP
Represents the start of internal precharging.
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PDF描述 |
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