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参数资料
| 型号： | W9412G6IH-6I |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66 |
| 封装： | 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66 |
| 文件页数： | 45/53页 |
| 文件大小： | 825K |
| 代理商： | W9412G6IH-6I |
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W9412G6IH
Publication Release Date: Sep. 16, 2009
- 5 -
Revision A06
3. KEY PARAMETERS
SYMBOL
DESCRIPTION
MIN./MAX.
-4
-5/-5I
-6/-6I
Min.
-
7.5 nS
CL = 2
Max.
-
12 nS
Min.
-
6 nS
CL = 2.5
Max.
-
12 nS
Min.
4 nS
5 nS
6 nS
CL = 3
Max.
12 nS
Min.
4 nS
-
tCK
Clock Cycle Time
CL = 4
Max.
12 nS
-
tRAS
Active to Precharge Command Period
Min.
40 nS
42 nS
tRC
Active to Ref/Active Command Period
Min.
48 nS
50 nS
54 nS
IDD0
Operating Current:
One Bank Active-Precharge
Max.
130 mA
120 mA
IDD1
Operating Current:
One Bank Active-Read-Precharge
Max.
140 mA
130 mA
IDD4R
Burst Operation Read Current
Max.
185 mA
180 mA
170 mA
IDD4W
Burst Operation Write Current
Max.
185 mA
180 mA
170 mA
IDD5
Auto Refresh Current
Max.
200 mA
190 mA
IDD6
Self Refresh Current
Max.
3 mA
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