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参数资料
| 型号： | W9425G6DH-6F |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 16M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66 |
| 封装： | 0.400 INCH, 0.65 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66 |
| 文件页数： | 31/53页 |
| 文件大小： | 1817K |
| 代理商： | W9425G6DH-6F |
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W9425G6DH
Publication Release Date:Feb. 12, 2008
- 37 -
Revision A8
11.4 Write Timing (Burst Length = 4)
tIS
tIH
tDSH
tDSS
tDSH
tWPRES
tDH
tDS
tDQSS
tDSH
tDSS
Postamble
tWPRE
Preamble
tDQSH
tDQSL
tWPST
DA0
DA1
DA2
DA3
tWPRES
tDS
tDQSS
tDSH
tDSS
Postamble
tWPRE
Preamble
tDQSH
tDQSL
tWPST
tWPRES
tDH
tDS
tDQSS
Postamble
tWPRE
Preamble
tDQSH
tDQSL
tWPST
DA0
DA1
DA2
DA3
tDS
tDH
tCH
tCL
tCK
DQS
Input
(Data)
LDQS
DQ0~7
UDQS
DQ8~15
x4, x8 device
x16 device
ADD
CMD
CLK
WRIT
Col
DA0
DA1
DA2
DA3
DA0
DA1
DA2
DA3
tDH
tDS
DA0
DA1
DA2
DA3
DA0
DA1
DA2
DA3
tIS
tIH
Note: x16 has two DQSs (UDQS for upper byte and LDQS for lower byte). Even if one of the 2 bytes is not used, both UDQS
and LDQS must be toggled.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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