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参数资料
| 型号： | W987Y6CBG80 |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA54 |
| 封装： | 8 X 9 MM, 1.20 MM HEIGHT, FBGA-54 |
| 文件页数： | 33/46页 |
| 文件大小： | 1634K |
| 代理商： | W987Y6CBG80 |
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Preliminary W987Y6CB
Publication Release Date: May 21, 2002
- 39 -
Revision A1
Operating Timing Example, contined
Autoprecharge Timing (Write Cycle)
Write
Act
AP
0
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
D0
AP
Act
D1
AP
Act
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
AP
Act
Write
(1) CAS Latency=2
Write
Act
AP
When the Auto precharge command is asserted, the period from Bank Activate
command to the start of internal precgarging must be at least tRAS (min).
represents the Write with Auto precharge command.
represents the start of internal precharging.
represents the Bank Activate command.
Note )
tRP
tWR
tRP
tWR
tRP
tWR
tRP
tWR
( a ) burst length = 1
Command
( b ) burst length = 2
Command
( c ) burst length = 4
Command
( d ) burst length = 8
Command
DQ
D0
AP
Act
AP
Act
D1
D0
AP
Act
D1
D2
D3
AP
Act
D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
Write
D0
(2) CAS Latency=3
tRP
tWR
tRP
tWR
tRP
tWR
tRP
tWR
( a ) burst length = 1
Command
( b ) burst length = 2
Command
( c ) burst length = 4
Command
( d ) burst length = 8
Command
DQ
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W987Z6CHG75 | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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