参数资料
型号: WPB4002
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 2/5页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 600V 23A TO3PB
标准包装: 100
FET 型: 2 个 N 沟道(双)
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 23A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 360 毫欧 @ 11.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 84nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2200pF @ 30V
功率 - 最大: 2.5W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-3P-3,SC-65-3
供应商设备封装: TO-3PB
包装: 托盘
WPB4002
60
50
Tc=25 ° C
ID -- VDS
10V
15V
70
60
ID -- VGS
VDS=20V
Tc= --25 ° C
8V
40
30
50
40
25 ° C
75 ° C
30
20
20
10
6V
10
0
0
5
10
15
20
VGS=5V
25
30
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
Drain to Source Voltage, VDS -- V
1.0
0.9
RDS(on) -- VGS
IT15682
ID=11.5A
0.8
0.7
Gate to Source Voltage, VGS -- V
RDS(on) -- Tc
IT15683
0.8
0.6
0.7
=1
1.5
0V
0.6
0.5
0.4
Tc=75°C
0.5
0.4
0.3
VG
S
=1
, ID
A
0.3
25°C
0.2
0.2
0.1
--25°C
0.1
0
3
5
7
9
11
13
15
0
--50
--25
0
25
50
75
100
125
150
° C
-25
=-
Tc ° C
5
3
2
10
7
5
3
Gate to Source Voltage, VGS -- V
| y fs | -- ID
25
° C
75
IT15684
VDS=10V
7
5
3
2
10
7
5
3
2
1.0
7
5
Case Temperature, Tc -- ° C
IS -- VSD
IT15685
VGS=0V
2
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
3
0.1
2
3
5 7 1.0
2
3
5 7 10
2
3
5
7
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
2
1000
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
IT15686
VDD=200V
VGS=10V
10000
7
5
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Ciss, Coss, Crss -- VDS
IT15687
f=1MHz
7
5
3
2
Ciss
3
2
td (o ff )
1000
7
5
Coss
100
7
tf
tr
3
2
5
3
td(on)
100
7
Crss
2
0.1
2
3
5
7 1.0
2
3
5
7 10
2
3
5
5
0
10
20
30
40
50
Drain Current, ID -- A
IT15688
Drain to Source Voltage, VDS -- V
IT15689
No. A1769-2/5
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PDF描述
WSN802GDK-A DEV KIT FOR WSN802G W/ROUTER
WWT1-EW10/GRN LAMP T1-1/2 STD WIRE TERM 14V
X09-019-DK KIT DEV FOR 900MHZ 19.2K 100MW
X09-019PKI-RA MOD RF 900MHZ 19.2K RS232/485 IN
X2-SE4-EC-A CONNECTPORT X2 GATEWAY
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参数描述
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WPB4501S3CR-001 制造商:Laird Technologies Inc 功能描述:MOBILE COIL, 450 - 470 MHZ CHROME, ELAST SPR
WPB7600S3BR-001 制造商:Laird Technologies Inc 功能描述:MOBILE COIL, 760 - 870 MHZ BLACK, GP, ELAST SPR