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参数资料
| 型号： | WPB4002 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 23A TO3PB |
| 标准包装： | 100 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 23A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 360 毫欧 @ 11.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 84nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2200pF @ 30V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3PB |
| 包装： | 托盘 |
WPB4002
100 ms
ID=23A
10
9
8
7
6
VDS=200V
ID=23A
VGS -- Qg
3
2
100
7
5
3
2
10
7
5
3
ASO
IDP=80A (PW≤10μs)
10
ms
DC
o p e r
atio n
1m
10
s
10 μ s
0 μ s
5
4
3
2
2
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
Operation in
this area is
limited by RDS(on).
1
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
3
2
0.01
1
Tc=25 ° C
Single pulse
2 3
5 7 10
2
3
5 7 100
2
3
5 7 1000
3.0
Total Gate Charge, Qg -- nC
PD -- Ta
IT15690
250
Drain to Source Voltage, VDS -- V
PD -- Tc
IT17193
220
2.5
200
2.0
150
1.5
100
1.0
0.5
50
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
120
Ambient Temperature, Ta -- ° C
EAS -- Ta
IT155692
Case Temperature, Tc -- ° C
IT15693
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
175
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IT10478
No. A1769-3/5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| WSN802GDK-A | DEV KIT FOR WSN802G W/ROUTER |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| WPB4002-1E | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:NCH 10V DRIVE SERIES - Ammo Pack 制造商:ON Semiconductor 功能描述:N-CH Pwr MOSFET 600V 23A 0.36Ohm 制造商:ON Semiconductor 功能描述:FNFLD - NCH 10V DRIVE SERIES |
| WPB4501S2BNR-001 | 制造商:Laird Technologies Inc 功能描述:MOBILE COIL, 450 - 470 MHZ BLACK, ELAST SPR |
| WPB4501S2CNR-001 | 制造商:Laird Technologies Inc 功能描述:MOBILE COIL, 450 - 470 MHZ CHROME, NGP, ELAST SPR |
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| WPB7600S3BR-001 | 制造商:Laird Technologies Inc 功能描述:MOBILE COIL, 760 - 870 MHZ BLACK, GP, ELAST SPR |
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