参数资料
型号: WPB4002
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 4/5页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 600V 23A TO3PB
标准包装: 100
FET 型: 2 个 N 沟道(双)
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 23A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 360 毫欧 @ 11.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 84nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2200pF @ 30V
功率 - 最大: 2.5W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-3P-3,SC-65-3
供应商设备封装: TO-3PB
包装: 托盘
WPB4002
Package Dimensions
WPB4002-1E
TO-3P-3L
CASE 340AF
ISSUE O
Unit : mm
1: Gate
2: Drain
3: Source
Ordering & Package Information
Marking
Electrical Connection
Device
WPB4002-1E
Package
TO-3P-3L
SC-65, SOT-199, TO-247
Shipping
30
pcs./tube
memo
Pb-Free
PB4002
2
LOT No.
1
3
No. A1769-4/5
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PDF描述
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参数描述
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