参数资料
| 型号： | XA3S250E-4FT256I |
| 厂商： | Xilinx Inc |
| 文件页数： | 37/37页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FPGA SPARTAN-3E 256FPBGA |
| 标准包装： | 90 |
| 系列： | Spartan®-3E XA |
| LAB/CLB数： | 612 |
| 逻辑元件/单元数： | 5508 |
| RAM 位总计： | 221184 |
| 输入/输出数： | 172 |
| 门数： | 250000 |
| 电源电压： | 1.14 V ~ 1.26 V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 工作温度： | -40°C ~ 100°C |
| 封装/外壳： | 256-LBGA |
| 供应商设备封装： | 256-FTBGA |
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DS635 (v2.0) September 9, 2009
Product Specification
9
R
IRPD(2)
Current through pull-down resistor at
User I/O, Dual-Purpose, Input-only,
and Dedicated pins
VIN = VCCO
0.10
–
0.75
mA
RPD(2)
Equivalent pull-down resistor value at
User I/O, Dual-Purpose, Input-only,
and Dedicated pins (based on IRPD
per Note 2)
VIN = VCCO = 3.0V to 3.45V
4.0
–
34.5
k
Ω
VIN = VCCO = 2.3V to 2.7V
3.0
–
27.0
k
Ω
VIN = VCCO = 1.7V to 1.9V
2.3
–
19.0
k
Ω
VIN = VCCO = 1.4V to 1.6V
1.8
–
16.0
k
Ω
VIN = VCCO = 1.14V to 1.26V
1.5
–
12.6
k
Ω
IREF
VREF current per pin
All VCCO levels
–10
–
+10
μA
CIN
Input capacitance
-
–
10
pF
RDT
Resistance of optional differential
termination circuit within a differential
I/O pair. Not available on Input-only
pairs.
VOCM Min
≤V
ICM
≤V
OCM Max
VOD Min
≤V
ID
≤V
OD Max
VCCO = 2.5V
–120
–
Ω
Notes:
1.
The numbers in this table are based on the conditions set forth in Table 6.
2.
This parameter is based on characterization. The pull-up resistance RPU = VCCO / IRPU. The pull-down resistance RPD = VIN / IRPD.
Table 7: General DC Characteristics of User I/O, Dual-Purpose, and Dedicated Pins (Continued)
Symbol
Description
Test Conditions
Min
Typ
Max
Units
Table 8: Quiescent Supply Current Characteristics
Symbol
Description
Device
I-Grade Maximum
Q-Grade
Maximum
Units
ICCINTQ
Quiescent VCCINT
supply current
XA3S100E
36
58
mA
XA3S250E
104
158
mA
XA3S500E
145
300
mA
XA3S1200E
324
500
mA
XA3S1600E
457
750
mA
ICCOQ
Quiescent VCCO
supply current
XA3S100E
1.5
2.0
mA
XA3S250E
1.5
3.0
mA
XA3S500E
1.5
3.0
mA
XA3S1200E
2.5
4.0
mA
XA3S1600E
2.5
4.0
mA
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