参数资料
型号: ZL1505ALNFT
厂商: Intersil
文件页数: 6/13页
文件大小: 0K
描述: IC MOSFET DVR STP-DN SYNC 10DFN
标准包装: 100
配置: 高端和低端,同步
输入类型: PWM
延迟时间: 31.5ns
电流 - 峰: 3.2A
配置数: 1
输出数: 2
高端电压 - 最大(自引导启动): 30V
电源电压: 4.5 V ~ 7.5 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 10-VFDFN 裸露焊盘
供应商设备封装: 10-DFN(3x3)
包装: 带卷 (TR)
ZL1505
Electrical Specifications V DD = 6.5V, T J = -40°C to +125°C unless otherwise noted. Typical values are at T A = +25°C. Boldface limits
apply over the operating temperature range, -40°C to +125°C. (Continued)
MIN
MAX
PARAMETER
CONDITIONS
(Note 10)
TYP
(Note 10)
UNIT
GH fall time, t FH
C GH = 3nF
HSEL connected to
BST
HSEL connected to
-
-
4.8
9.5
7.5
15
ns
ns
SW
GL rise time, t RL
C GL = 3nF
LSEL connected to
VDD
LSEL connected to
-
4.0
7.8
6.0
12
ns
ns
GND
GL fall time, t FL
C GL = 3nF
LSEL connected to
VDD
LSEL connected to
-
-
3.0
5.5
4.5
8.5
ns
ns
GND
GH turn-on propagation delay, t DHR
GH turn-off propagation delay, t DHF
GL turn-on propagation delay, t DLR
GL turn-off propagation delay, t DLF
HSEL connected to BST
HSEL connected to SW
HSEL connected to BST
HSEL connected to SW
LSEL connected to V DD
LSEL connected to GND
LSEL connected to V DD
LSEL connected to GND
-
-
-
-
30.0
31.5
37.5
39.0
26.5
28.0
30.0
31.5
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
NOTES:
10. Compliance to datasheet limits is assured by one or more methods: production test, characterization and/or design.
11. The minimum PWMH on-time pulse (t PWMH , ON ) is specified from VPWM = 2.5V on the rise edge to VPWM = 2.5V on the falling edge.
12. The minimum GH on-time pulse (t GH,ON ) is specified at V GH = 2.5V.
PWM
2.5V
t PWMH,ON
2.5V
t DLF
GH
6
t DLR
10%
90%
2.5V
t GH,ON
t RH
FIGURE 3. TIMING DIAGRAM
90%
2.5V
t FH
10%
FN6845.3
February 25, 2011
相关PDF资料
PDF描述
ZL2008EVAL1Z EVALUATION BOARD FOR ZL2008
ZXGD3001E6TA IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6
ZXGD3002E6TA IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6
ZXGD3003E6TA IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6
ZXGD3004E6TA IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6
相关代理商/技术参数
参数描述
ZL1505ALNFT1 功能描述:IC MOSFET DVR STP-DN SYNC 10DFN RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6,D²Pak(5 引线+接片),TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件
ZL1505ALNFT6 功能描述:IC MOSFET DVR STP-DN SYNC 10DFN RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:5 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:600ns 电流 - 峰:12A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):- 电源电压:14.2 V ~ 15.8 V 工作温度:-20°C ~ 60°C 安装类型:通孔 封装/外壳:21-SIP 模块 供应商设备封装:模块 包装:散装 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名称:835-1063
ZL1505ALNNT 功能描述:IC MOSFET DRIVER SGL 10DFN RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6,D²Pak(5 引线+接片),TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件
ZL1505ALNNT1 功能描述:IC MOSFET DRIVER SGL 10DFN RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6,D²Pak(5 引线+接片),TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件
ZL1505ALNNT6 功能描述:IC MOSFET DVR STP-DN SYNC 10DFN RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6,D²Pak(5 引线+接片),TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件