参数资料
型号: ZVN2120GTC
厂商: Diodes Inc
文件页数: 3/3页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CHAN 200V SOT223
标准包装: 4,000
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 320mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 10 欧姆 @ 250mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 3V @ 1mA
输入电容 (Ciss) @ Vds: 85pF @ 25V
功率 - 最大: 2W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-261-4,TO-261AA
供应商设备封装: SOT-223
包装: 带卷 (TR)
ZVN2120G
TYPICAL CHARACTERISTICS
500
400
500
400
300
200
100
0
V DS= 25V
300
200
100
0
V DS= 25V
0
0.2
0.4
0.6
0.8 1.0
1.2
1.4
1.6
1.8 2.0
0
2
4
6
8
10
I D(on) - Drain Current (Amps )
Transconductance v drain current
V GS -Gate Source Voltage (Volts)
Transconductance v gate-source voltage
16
100
80
14
12
I D= 700mA
V DS =
50V
100V
60
C iss
10
150V
8
40
6
4
20
C oss
C rss
2
0
0
10
20
30
40
50
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4
V DS -Drain Source Voltage (Volts)
Capacitance v drain-source voltage
3 - 392
Q-Charge (nC)
Gate charge v gate-source voltage
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