参数资料
型号: ZVN3306ASTOB
厂商: Diodes Inc
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文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CHAN 60V TO92-3
标准包装: 2,000
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 270mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 5 欧姆 @ 500mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2.4V @ 1mA
输入电容 (Ciss) @ Vds: 35pF @ 18V
功率 - 最大: 625mW
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
供应商设备封装: TO-92-3
包装: 带卷 (TR)
ZVN3306A
TYPICAL CHARACTERISTICS
V GS= 10V 9 V
1.0
8V
10
0.8
7V
8
0.6
6V
6
I D=
1A
0.4
5V
4
0.2
4V
2
0.5A
0
3V
0
0.25A
0
2
4
6
8
10
0
2
4
6
8
10
1.0
V DS - Drain Source Voltage (Volts)
Saturation Characteristics
10
V GS -Gate Source Voltage (Volts)
Voltage Saturation Characteristics
V DS= 10V
0.8
5
0.6
0.4
0.2
I D=
1A
0.5A
0.25A
0
0
2
4
6
8
10
1
1
10
20
2.4
V GS- Gate Source Voltage (Volts)
Transfer Characteristics
V GS -Gate Source Voltage (Volts)
On-resistance vs gate-source voltage
ist
es
ce
So
an
DS
n)
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
Dr
ai
n-
I D=- 0.5A
R
ur
ce
R
(o
200
180
160
140
120
100
80
V DS= 18V
1.0
60
0.8
0.6
Gate Thresh old
Voltage V GS (th )
40
20
0.4
-80 -60 -40 -20
0 20 40 60 80 100 120 140 160
0
0 0.1 0.2
0.3
0.4
0.5 0.6
0.7 0.8
0.9 1.0
T-Temperature (C°)
Normalised R DS(on) and V GS(th) vs Temperature
3-376
I D(on) - Drain Current (Amps )
Transconductance v drain current
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ZVN3306B 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 750MA I(D) | TO-39
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