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参数资料
| 型号： | ZVN3310ASTOA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CHAN 100V TO92-3 |
| 标准包装： | 2,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 200mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.4V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 40pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 625mW |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 |
| 供应商设备封装： | TO-92-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ZVN3310A
TYPICAL CHARACTERISTICS
1.4
1.6
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
V GS=
10V
9V
8V
7V
6V
5V
4V
3V
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
V GS=
10V
9V
8V
7V
6V
5V
4V
3V
0
10
20
30
40
50
0
2
4
6
8
10
10
V DS - Drain Source Voltage (Volts)
Output Characteristics
1.4
V DS - Drain Source Voltage (Volts)
Saturation Characteristics
8
6
1.2
1.0
0.8
V DS=
25V
4
2
I D=
1A
0.5A
0.2A
0.6
0.4
0.2
0
0
0
4
8
12
16
20
0
2
4
6
8
10
100
V GS- Gate Source Voltage (Volts)
Voltage Saturation Characteristics
2.4
V GS- Gate Source Voltage (Volts)
Transfer Characteristics
ist
eR
ou
-S
ra
n)
DS
eR
10
I D=
1A
0.5A
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
D
in
I D=- 0.5A
a
es
rc
nc
(o
0.2A
0.8
0.6
Gate Thresh old
Voltage V GS (th)
1
1
2
3
4
5 6 7 8 9 10
20
0.4
-80 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
V GS -Gate Source Voltage (Volts)
On-resistance vs gate-source voltage
T-Temperature (C°)
Normalised R DS(on) and V GS(th) vs Temperature
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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