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参数资料
| 型号： | ZXGD3101T8TA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FLYBACK CONVERTER SOT223-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 配置： | 高端或低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 525ns |
| 电流 - 峰： | 4A |
| 配置数： | 2 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 180V |
| 电源电压： | 5 V ~ 15 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 150°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-223-8 |
| 供应商设备封装： | SM8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1479 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZXGD3101T8DKR |
ZXGD3101T8
Absolute maximum ratings
Parameter
Supply voltage 1
Continuous Drain pin voltage 1
GATEH and GATEL output Voltage 1
Driver peak source current
Driver peak sink current
Reference current
Bias voltage
Bias current
Power dissipation at T A =25 ° C
Operating junction temperature
Storage temperature
Symbol
V CC
V D
V G
I SOURCE
I SINK
I REF
V BIAS
I BIAS
P D
T j
T stg
Limit
15
-3 to180
-3 to V CC + 3
4
7
25
V CC
100
500
-40 to +150
-50 to +150
Unit
V
V
V
A
A
mA
V
mA
mW
° C
° C
NOTES:
1. All voltages are relative to GND pin
Thermal resistance
Parameter
Junction to ambient (*)
Junction to lead (?)
Symbol
R θ JA
R θ IA
Value
250
54
Unit
°C/W
°C/W
NOTES:
(*) Mounted on minimum 1oz copper on FR4 PCB in still air conditions
(?) Output Drivers - Junction to solder point at end of the lead 5 and 6
ESD Rating
Model
Human body
Machine
Issue 4 - January 2009
? Diodes Incorporated 2009
2
Rating
4,000
400
Unit
V
V
www.zetex.com
www.diodes.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZXGD3103N8TC | IC SYNCH MOSFET CNTRLR 4A SO8 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZXGD3102T8 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:ACTIVE OR’ING CONTROLLER |
| ZXGD3102T8TA | 功能描述:功率驱动器IC BIPOLAR TRANSISTOR GATE DRIVER NPN/PNP SMB GREEN 1K RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| ZXGD3103N8 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:SYNCHRONOUS MOSFET CONTROLLER |
| ZXGD3103N8TC | 功能描述:功率驱动器IC SYNC Mosfet CNTRL Vcc 15V 25mA 490mA RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| ZXGD3104N8 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:SYNCHRONOUS MOSFET CONTROLLER IN SO8 |
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