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参数资料
| 型号： | ZXM61P03FTA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3 |
| 其它图纸： | SOT-23 SOT-23 Top |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 350 毫欧 @ 600mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4.8nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 140pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 625mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1473 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZXM61P03FDKR |
ZXM61P03F
30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
SUMMARY
V (BR)DSS =-30V; R DS(ON) =0.35 ; I D =-1.1A
DESCRIPTION
This new generation of high density MOSFETs from Zetex utilizes a unique
structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching
speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power
management applications.
FEATURES
? Low on-resistance
? Fast switching speed
? Low threshold
? Low gate drive
? SOT23 package
APPLICATIONS
? DC - DC converters
? Power management functions
? Disconnect switches
? Motor control
ORDERING INFORMATION
SOT23
DEVICE
ZXM61P03FTA
ZXM61P03FTC
REEL SIZE
(inches)
7
13
TAPE WIDTH
(mm)
8 embossed
8 embossed
QUANTITY
PER REEL
3,000
10,000
Pin out
DEVICE MARKING
P03
Top view
ISSUE 1 - OCTOBER 2005
1
SEMICONDUCTORS
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZXM61P03FTA-CUT TAPE | 制造商:DIODES 功能描述:ZXM61P03F 30 V 0.35 Ohm P-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET - SOT-23 |
| ZXM61P03FTC | 功能描述:MOSFET 30V P Chnl HDMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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