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参数资料
| 型号： | ZXM61P03FTA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3 |
| 其它图纸： | SOT-23 SOT-23 Top |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 350 毫欧 @ 600mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4.8nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 140pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 625mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1473 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZXM61P03FDKR |
ZXM61P03F
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T amb = 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT CONDITIONS.
STATIC
Drain-Source Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate-Body Leakage
Gate-Source Threshold Voltage
V (BR)DSS
I DSS
I GSS
V GS(th)
-30
-1.0
-1
100
V
μ A
nA
V
I D =-250 μ A, V GS =0V
V DS =-30V, V GS =0V
V GS = 20V, V DS =0V
I D =-250 μ A, V DS = V GS
Static Drain-Source On-State Resistance (1) R DS(on)
0.35
0.55
?
?
V GS =-10V, I D =-0.6A
V GS =-4.5V, I D =-0.3A
Forward Transconductance (3)
g fs
0.44
S
V DS =-10V,I D =-0.3A
DYNAMIC (3)
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
C iss
C oss
C rss
140
45
20
pF
pF
pF
V DS =-25 V, V GS =0V,
f=1MHz
SWITCHING (2) (3)
Turn-On Delay Time
t d(on)
1.9
ns
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate Drain Charge
t r
t d(off)
t f
Q g
Q gs
Q gd
2.9
8.9
5.0
4.8
0.62
1.3
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V DD =-15V, I D =-0.6A
R G =6.2 ? , R D =25 ?
(Refer to test circuit)
V DS =-24V,V GS =-10V,
I D =-0.6A
(Refer to test circuit)
SOURCE-DRAIN DIODE
Diode Forward Voltage (1)
Reverse Recovery Time (3)
Reverse Recovery Charge(3)
V SD
t rr
Q rr
14.8
7.7
-0.95
V
ns
nC
T j =25°C, I S =-0.6A,
V GS =0V
T j =25°C, I F =-0.6A,
di/dt= 100A/ μ s
NOTES:
(1) Measured under pulsed conditions. Width=300 μ s. Duty cycle
2%.
(2) Switching characteristics are independent of operating junction temperature.
(3) For design aid only, not subject to production testing.
ISSUE 1 - OCTOBER 2005
4
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参数描述 |
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