- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18816 > ZXM61P03FTA (Diodes Inc)MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | ZXM61P03FTA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3 |
| 其它图纸： | SOT-23 SOT-23 Top |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 350 毫欧 @ 600mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4.8nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 140pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 625mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1473 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZXM61P03FDKR |
ZXM61P03F
TYPICAL CHARACTERISTICS
300
250
200
150
Vgs=0V
f=1MHz
Ciss
Coss
Crss
14
12
10
8
ID=-0.6A
VDS=-24V
VDS=-15V
6
100
50
4
2
0
0.1
1
10
100
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
-V DS - Drain Source Voltage (V)
Capacitance v Drain-Source Voltage
Q -Charge (nC)
Gate-Source Voltage v Gate Charge
Current
regulator
Q G
12V
50k
Same as
D.U.T
V G
Q GS
Q GD
Charge
I G
V GS
D.U.T
V DS
I D
Basic gate charge waveform
V DS
Gate charge test circuit
90%
10%
V GS
R G
V GS
R D
V DS
V CC
t r
t (on)
t d(off)
t r
t (on)
t d(on)
Switching time waveforms
ISSUE 1 - OCTOBER 2005
6
Switching time test circuit
SEMICONDUCTORS
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| R7221407CSOO | RECTIFIER FAST REC 1400V 700A |
| 9111-48 RED | PATCHCORD BANA PLUG STKG 48" RED |
| R7221405ESOO | RECTIFIER FAST REC1400V 500A |
| R7201606XXOO | RECTIFIER 1600V 600A |
| 9111-48 BLK | PATCHCORD BANA PLUG STKG 48" BLK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZXM61P03FTA-CUT TAPE | 制造商:DIODES 功能描述:ZXM61P03F 30 V 0.35 Ohm P-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET - SOT-23 |
| ZXM61P03FTC | 功能描述:MOSFET 30V P Chnl HDMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZXM62N02E6 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述: 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N SOT-23-6 |
| ZXM62N02E6_04 | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXM62N02E6TA | 功能描述:MOSFET 20V N-Chnl HDMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。