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参数资料
| 型号： | ZXM61P03FTA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3 |
| 其它图纸： | SOT-23 SOT-23 Top |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 350 毫欧 @ 600mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4.8nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 140pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 625mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1473 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZXM61P03FDKR |
ZXM61P03F
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
PARAMETER
Drain-Source Voltage
Gate- Source Voltage
SYMBOL
V DSS
V GS
LIMIT
-30
20
UNIT
V
V
Continuous Drain Current
(V GS =-10V;
(V GS =-10V;
T A =25°C)(b)
T A =70°C)(b)
I D
-1.1
-0.9
A
Pulsed Drain Current (c)
Continuous Source Current (Body Diode)(b)
Pulsed Source Current (Body Diode)(c)
Power Dissipation at T A =25°C (a)
Linear Derating Factor
Power Dissipation at T A =25°C (b)
Linear Derating Factor
Operating and Storage Temperature Range
I DM
I S
I SM
P D
P D
T j :T stg
-4.3
-0.88
-4.3
625
5
806
6.4
-55 to +150
A
A
A
mW
mW/°C
mW
mW/°C
°C
THERMAL RESISTANCE
PARAMETER
Junction to Ambient (a)
Junction to Ambient (b)
SYMBOL
R θ JA
R θ JA
VALUE
200
155
UNIT
°C/W
°C/W
NOTES:
(a) For a device surface mounted on 25mm x 25mm FR4 PCB with high coverage of single sided 1oz copper, in still air conditions
(b) For a device surface mounted on FR4 PCB measured at t 5 secs.
(c) Repetitive rating - pulse width limited by maximum junction temperature. Refer to Transient Thermal Impedance graph.
ISSUE 1 - OCTOBER 2005
2
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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