- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录539 > ZXM62P02E6TA (Diodes Inc)MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT23-6 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | ZXM62P02E6TA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT23-6 |
| 其它图纸： | SOT-23-6 Pin Out |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 200 毫欧 @ 1.6A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 700mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5.8nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 320pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1472 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZXM62P02E6DKR |
ZXM62P02E6
CHARACTERISTICS
100
2
Refer Note (a)
1.5
10
Refer Note (b)
1
Refer Note (a)
1
DC
1s
100ms
10ms
1ms
0.5
0.1
0.1
100μs
1
10
100
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
80
-V DS - Drain-Source Voltage (V)
Safe Operating Area
Refer Note (b)
120
T - Temperature (° )
Derating Curve
Refer Note (a)
100
60
80
40
D=0.5
60
D=0.5
40
20
D=0.2
D=0.2
D=0.1
20
D=0.1
Single Pulse
0
D=0.05
0.0001 0.001
Single Pulse
0.01 0.1
1
10
100
D=0.05
0
0.0001 0.001 0.01 0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Transient Thermal Impedance
Pulse Width (s)
Transient Thermal Impedance
ISSUE 1 - JU NE 2004
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZXM62P03E6TA | MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT-23-6 |
| ZXM64N02XTC | MOSFET N-CHAN 20V MSOP8 |
| ZXM64N035L3 | MOSFET N-CH 35V 13A TO-220-3 |
| ZXM64P02XTC | MOSFET P-CHAN 20V MSOP8 |
| ZXM64P035L3 | MOSFET P-CH 35V 12A TO-220-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZXM62P02E6TA-CUT TAPE | 制造商:DIODES 功能描述:ZXM62P02E6 20 V 0.2 Ohm P-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET - SOT-23-6 |
| ZXM62P02E6TC | 功能描述:MOSFET 20V P-Chnl HDMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZXM62P03E6 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET P SOT-23-6 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, P, SOT-23-6 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, P CH, 30V, -1.5A, SOT-23; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-1.5A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):110mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-1V ;RoHS Compliant: Yes |
| ZXM62P03E6 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET P SOT-23-6 |
| ZXM62P03E6_05 | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。