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参数资料
| 型号： | ZXM62P02E6TA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT23-6 |
| 其它图纸： | SOT-23-6 Pin Out |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 200 毫欧 @ 1.6A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 700mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5.8nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 320pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1472 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZXM62P02E6DKR |
ZXM62P02E6
TYPICAL CHARACTERISTICS
700
600
500
400
300
200
Ciss
Coss
Crss
Vgs=0V
f=1Mhz
5
4.5
4
3.5
3
2.5
2
1.5
ID=-1.6A
VDS=-16V
1
100
0.5
0
0.1
1
10
100
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
-V DS - Drain Source Voltage (V)
Capacitance v Drain-Source Voltage
Basic Gate Charge Waveform
Switching Time Waveforms
Q - Charge (nC)
Gate-Source Voltage v Gate Charge
Gate Charge Test Circuit
Switching Time Test Circuit
ISSUE 1 - JU NE 2004
6
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| ZXM62P03E6 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET P SOT-23-6 |
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