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参数资料
| 型号： | ZXMD63P02XTC |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET DUAL P-CHAN 20V 8MSOP |
| 标准包装： | 4,000 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 270 毫欧 @ 1.2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 700mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5.25nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 290pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 870mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-MSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ZXMD63P02X
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
LIMIT
UNIT
Drain-Source Voltage
V DSS
-20
V
Gate- Source Voltage
V GS
± 12
V
Continuous Drain Current (V GS =4.5V; T A =25°C)(b)(d)
I D
-1.7
A
(V GS =4.5V; T A =70°C)(b)(d)
-1.35
Pulsed Drain Current (c)(d)
I DM
-9.6
A
Continuous Source Current (Body Diode)(b)(d)
I S
-1.4
A
Pulsed Source Current (Body Diode)(c)(d)
I SM
-9.6
A
Power Dissipation at T A =25°C (a)(d)
P D
0.87
W
Linear Derating Factor
6.9
mW/°C
Power Dissipation at T A =25°C (a)(e)
P D
1.04
W
Linear Derating Factor
8.3
mW/°C
Power Dissipation at T A =25°C (b)(d)
P D
1.25
W
Linear Derating Factor
10
mW/°C
Operating and Storage Temperature Range
T j :T stg
-55 to +150
°C
THERMAL RESISTANCE
PARAMETER
Junction to Ambient (a)(d)
Junction to Ambient (b)(d)
Junction to Ambient (a)(e)
SYMBOL
R θ JA
R θ JA
R θ JA
VALUE
143
100
120
UNIT
°C/W
°C/W
°C/W
NOTES
(a) For a device surface mounted on 25mm x 25mm FR4 PCB with high coverage of single sided 1oz copper,
in still air conditions
(b) For a device surface mounted on FR4 PCB measured at t 10 secs.
(c) Repetitive rating - pulse width limited by maximum junction temperature. Refer to Transient Thermal
Impedance graph.
(d) For device with one active die.
(e) For device with two active die running at equal power.
ISSUE 1 - JUNE 2004
2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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