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参数资料
| 型号： | ZXMD63P02XTC |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET DUAL P-CHAN 20V 8MSOP |
| 标准包装： | 4,000 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 270 毫欧 @ 1.2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 700mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5.25nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 290pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 870mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-MSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ZXMD63P02X
TYPICAL CHARACTERISTICS
700
600
Vgs=0V
f=1Mhz
5
4.5
ID=-1.2A
4
500
400
Ciss
Coss
3.5
3
VDS=-16V
300
200
100
Crss
2.5
2
1.5
1
0.5
0
0.1
1
10
100
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
-V DS - Drain Source Voltage (V)
Capacitance v Drain-Source Voltage
Basic Gate Charge Waveform
Switching Time Waveforms
Q -Charge (nC)
Gate-Source Voltage v Gate Charge
Gate Charge Test Circuit
Switching Time Test Circuit
ISSUE 1 - JUNE 2004
6
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZXMD63P03XTC | MOSFET DUAL P-CHAN 30V 8MSOP |
| ZXMHC10A07T8TA | MOSFET H-BRIDGE N/P-CH 100V SM8 |
| ZXMHC3A01N8TC | MOSFET H-BRIDGE COMPL 8-SOIC |
| ZXMHC3F381N8TC | MOSFET COMPL H-BRIDGE 30V 8-SOIC |
| ZXMHC6A07N8TC | MOSFET COMPL H-BRIDGE 60V 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZXMD63P03X | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXMD63P03X_05 | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:DUAL 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXMD63P03XTA | 功能描述:MOSFET Dual 30V P Chl HDMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZXMD63P03XTC | 功能描述:MOSFET Dual 30V P Chl HDMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZXMD65N02N8TA | 功能描述:MOSFET N-CHAN DUAL 20V 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR |
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