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参数资料
| 型号： | ZXMD63P03XTC |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 7/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET DUAL P-CHAN 30V 8MSOP |
| 标准包装： | 4,000 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 185 毫欧 @ 1.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 270pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 870mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-MSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ZXMD63P03X
PACKAGE DETAILS
e
c
PAD LAYOUT DETAILS
1.02
0.040
E
E1
R1
4.8
0.189
D
mm
R
L
inches
b
A1
A2
A
0.41
0.016
0.65
0.023
PACKAGE DIMENSIONS
DIM
Millimeters
Inches
MIN
MAX
MIN
MAX
A
A1
B
C
D
0.91
0.10
0.25
0.13
2.95
1.11
0.20
0.36
0.18
3.05
0.036
0.004
0.010
0.005
0.116
0.044
0.008
0.014
0.007
0.120
e
e1
0.65NOM
0.33NOM
0.0256
0.0128
E
H
L
°
2.95
4.78
0.41
0°
3.05
5.03
0.66
6°
0.116
0.188
0.016
0°
0.120
0.198
0.026
6°
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ISSUE 1 - OCTOBER 2005
7
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