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参数资料
| 型号： | ZXMN10A07ZTA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 1A SOT-89 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 700 毫欧 @ 1.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2.9nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 138pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-243AA |
| 供应商设备封装： | SOT-89-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1474 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZXMN10A07ZDKR |
A Product Line of
Diodes Incorporated
ZXMN10A07Z
Typical Characteristics
T =25°C
10V
7V
6V
T =150°C
10V
7V
6V
1
5V
1
5V
4.5V
0.1
4.5V
0.1
4V
0.01
V GS
4V
0.01
V GS
3.5V
0.1 1 10
V DS Drain-Source Voltage (V)
Output Characteristics
2.0
0.1 1 10
V DS Drain-Source Voltage (V)
Output Characteristics
1
T =150°C
1.8
1.6
1.4
V GS =10V
I D =1.5A
R DS(on)
1.2
0.1
T =25°C
V DS =10V
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
V GS =V DS
I D =250uA
V GS(th)
0.01
3
4
5
6
0.0
-50
0
50
100
150
V GS Gate-Source Voltage (V)
Typical Transfer Characteristics
10
Tj Junction Temperature (°C)
Normalised Curves v Temperature
10
4.5V
5V
6V
V GS
T =150°C
1
1
7V
T =25°C
T =25°C
10V
0.1
0.01 0.1 1
I D Drain Current (A)
On-Resistance v Drain Current
ZXMN10A07Z
Document number DS33565 Rev. 7- 2
0.4 0.6 0.8 1.0
V SD Source-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
4 of 7
www.diodes.com
1.2
June 2012
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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| ZXMN10A08E6 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N SOT-23-6 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, N, SOT-23-6 |
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