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参数资料
| 型号： | ZXMN10A07ZTA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 1A SOT-89 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 700 毫欧 @ 1.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2.9nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 138pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-243AA |
| 供应商设备封装： | SOT-89-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1474 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZXMN10A07ZDKR |
A Product Line of
Diodes Incorporated
ZXMN10A07Z
Package Outline Dimensions
.20
D1
R0
0
C
SOT89
E
1
H
H
Dim Min Max
A 1.40 1.60
B 0.44 0.62
B1
0.35 0.54
B1
B
e
L
C
D
D1
0.35 0.44
4.40 4.60
1.62 1.83
E
2.29 2.60
8° (4X)
A
e
H
H1
L
1.50 Typ
3.94 4.25
2.63 2.93
0.89 1.20
All Dimensions in mm
D
Suggested Pad Layout
X1
Dimensions Value (in mm)
X
X1
0.900
1.733
X2 (2x)
X2
0.416
Y3
Y
Y2
C
Y4
Y 1
Y
Y1
Y2
Y3
Y4
C
1.300
4.600
1.475
0.950
1.125
1.500
X (3x)
ZXMN10A07Z
Document number DS33565 Rev. 7- 2
6 of 7
www.diodes.com
June 2012
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZXMN10A08DN8TC | MOSFET N-CHAN 100V 8SOIC |
| ZXMN10A08E6TC | MOSFET N-CHAN 100V SOT23-6 |
| ZXMN10A08G | MOSFET N-CHAN 100V SOT223 |
| ZXMN10A09KTC | MOSFET N-CH 100V 5A DPAK |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| ZXMN10A08E6 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N SOT-23-6 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, N, SOT-23-6 |
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