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参数资料
| 型号： | ZXMN10A08DN8TC |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CHAN 100V 8SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 250 毫欧 @ 3.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7.7nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 405pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 1.25W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ZXMN10A08DN8
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T A = 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX. UNIT CONDITIONS.
STATIC
I =250 A, V DS = V GS
Drain-source breakdown voltage
Zero gate voltage drain current
Gate-body leakage
Gate-source threshold voltage
Static drain-source on-state resistance (1)
Forward transconductance (1)(3)
V (BR)DSS
I DSS
I GSS
V GS(th)
R DS(on)
g fs
100
2.0
5.0
0.5
100
0.25
0.30
V
A
nA
V
S
I D =250 A, V GS =0V
V DS =100V, V GS =0V
V GS = 20V, V DS =0V
D
V GS =10V, I D =3.2A
V GS =6V, I D =2.6A
V DS =15V,I D =3.2A
DYNAMIC
(3)
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
C iss
C oss
C rss
405
28.2
14.2
pF
pF
pF
V DS =50 V, V GS =0V,
f=1MHz
SWITCHING
(2) (3)
Turn-on delay time
t d(on)
3.4
ns
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
Gate charge
Total gate charge
Gate-source charge
Gate-drain charge
t r
t d(off)
t f
Q g
Q g
Q gs
Q gd
2.2
8
3.2
4.2
7.7
1.8
2.1
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
V DD =30V, I D =1.2A
R G ? 6.0 , V GS =10V
V DS =50V,V GS =5V,
I D =1.2A
V DS =50V,V GS =10V,
I D =1.2A
SOURCE-DRAIN DIODE
Diode forward voltage (1)
Reverse recovery time (3)
Reverse recovery charge (3)
V SD
t rr
Q rr
0.87
27
32
0.95
V
ns
nC
T J =25°C, I S =3.2A,
V GS =0V
T J =25°C, I F =1.2A,
di/dt= 100A/ s
NOTES:
(1) Measured under pulsed conditions. Width = 300 μ s. Duty cycle ≤ 2% .
(2) Switching characteristics are independent of operating junction temperature.
(3) For design aid only, not subject to production testing.
ISSUE 4 - JANUARY 2005
SEMICONDUCTORS
4
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