型号: | ZXMN10A08DN8TC |
厂商: | Diodes Inc |
文件页数: | 6/7页 |
文件大小: | 0K |
描述: | MOSFET N-CHAN 100V 8SOIC |
标准包装: | 2,500 |
FET 型: | 2 个 N 沟道(双) |
FET 特点: | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss): | 100V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 1.6A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 250 毫欧 @ 3.2A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大): | 2V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs: | 7.7nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds: | 405pF @ 50V |
功率 - 最大: | 1.25W |
安装类型: | 表面贴装 |
封装/外壳: | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商设备封装: | 8-SOP |
包装: | 带卷 (TR) |