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参数资料
| 型号： | ZXMN2A14FTA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3 |
| 其它图纸： | SOT-23 SOT-23 Top |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 60 毫欧 @ 3.4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 700mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6.6nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 544pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1472 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZXMN2A14FDKR |
ZXMN2A14F
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
PARAMETER
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current @ V GS =4.5V; T A =25°C (b)
@ V GS =4.5V; T A =70°C (b)
@ V GS =4.5V; T A =25°C (a)
SYMBOL
V DSS
V GS
I D
LIMIT
20
12
4.1
3.3
3.4
UNIT
V
V
A
A
A
Pulsed Drain Current
(c)
I DM
19
A
Continuous Source Current (Body Diode) (b)
Pulsed Source Current (Body Diode) (c)
Power Dissipation at T A =25°C (a)
Linear Derating Factor
Power Dissipation at T A =25°C (b)
Linear Derating Factor
Operating and Storage Temperature Range
I S
I SM
P D
P D
T j , T stg
1.7
19
1
8
1.5
12
-55 to +150
A
A
W
mW/°C
W
mW/°C
°C
THERMAL RESISTANCE
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Junction to Ambient
(a)
R JA
125
°C/W
Junction to Ambient (b)
R JA
82
°C/W
NOTES
(a) For a device surface mounted on 25mm x 25mm FR4 PCB with high coverage of single sided 1oz copper, in still air conditions.
(b) For a device surface mounted on FR4 PCB measured at t
5 sec.
(c) Repetitive rating - 25mm x 25mm FR4 PCB, D=0.02, pulse width 300 s - pulse width limited by maximum junction temperature.
ISSUE 3 - SEPTEMBER 2007
SEMICONDUCTORS
2
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