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参数资料
| 型号： | ZXMN2AMCTA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2N-CH 20V 2.9A DFN |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 120 毫欧 @ 4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3.1nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 299pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-DFN（3x2） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | ZXMN2AMCTADKR |
A Product Line of
Diodes Incorporated
ZXMN2AMC
Typical Electrical Characteristics - Continued
4.5
V GS = 0V
4.0
I D = 4A
400
200
C ISS
C OSS
f = 1MHz
C RSS
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
V DS = 10V
0
0.1
1
10
0.0
0
1
2
3
4
V DS - Drain - Source Voltage (V)
Capacitance v Drain-Source Voltage
Q - Charge (nC)
Gate-Source Voltage v Gate Charge
Test Circuits
Current
Q G
regulator
12V
5 0k
Same as
D.U.T
V G
Q GS
Q GD
Charge
I G
V GS
D.U.T
V DS
I D
V DS
Basic gate charge waveform
Gate charge test circuit
90%
10%
V GS
R G
V GS
R D
V DS
V DD
t d(on)
t (on)
t r
t d(off)
t (on)
t r
Switching time waveforms
Switching time test circuit
ZXMN2AMC
Document number: DS35089 Rev. 1 - 2
6 of 8
www.diodes.com
December 2010
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
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