参数资料
型号: ZXMN3A01FTC
厂商: Diodes Inc
文件页数: 4/7页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CHAN 30V SOT23-3
标准包装: 10,000
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 1.8A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 120 毫欧 @ 2.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 3.9nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 190pF @ 25V
功率 - 最大: 625mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装: SOT-23-3
包装: 带卷 (TR)
ZXMN3A01F
ZXMN3A01F
Document number: DS33528 Rev. 3 - 2
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www.diodes.com
February 2014
? Diodes Incorporated
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PDF描述
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参数描述
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ZXMN3A02N8 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMN3A02N8TA 功能描述:MOSFET 30V N Chnl UMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
ZXMN3A02N8TC 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
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